摩爾定律後的IC設計將何去何從？

這篇文章是看了以下的影片才產出的，
先說喔，我沒有完整看完，不過還是大致摘要一下重點。

這個影片來自IEEE SSCS（Solid-State Circuits Society，固態電路學會）的 Youtube 頻道，內容是 CICC（Custom Integrated Circuits Conference）2019 會議的其中一講。

講者：

Dr. Greg Yeric

有一點積體電路基本背景知識的人大概知道摩爾定律（Moore’s Law）在半導體製程上的神預測吧！隨著晶片做得越來越小（10nm->7nm->5nm->3nm->2nm-> ?）IC設計也面臨了新的挑戰。
在縮小晶片的過程中，我們將研究日益複雜的縮放方法，這些方法可能會啟用更多的摩爾定律節點。這是目前比較簡單的事了！

同時，新技術可能會在短期和短期內為我們提供其他的發展工具。在不久的將來，先進的封裝技術和新型的非揮發性記憶體（Non-Volatile Memory，縮寫：NVM）將變得可用，從長遠來看，我們可能會看到完全不同的計算技術，例如自旋電子學（spintronics），低溫計算（cryogenic computing）和光子學（photonics）。

講者用一些實際的例子提出，在 3DIC 和 eNVM 上仍有非常多電路設計的空間。
在軟體上，EDA 工具也有很多新功能可以去做，像是 3DIC 的設計工具。

在 CMOS 製程之後呢？

 講者提出，往後的製程將很有可能往 3DIC 和異質結構的方向前進，而電路設計方面則會往系統設計（System-Level）的方向發展。